MgO和Si上NbN超薄薄膜的生长研究

摘要：

我们在单晶MgO (100)、Si (100)和SiOx/Si基片上成功生长了纳米厚度的超薄NbN薄膜,利用现代分析手段:X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)等技术分析研究了所制备的超薄NbN薄膜的微观结构、厚度、表面界面情况等物理特性.研究表明,在MgO (100)基片上获得了外延生长的单晶NbN超薄薄膜,在Si (100)和SiOx/Si基片上获得的是多晶NbN超薄薄膜.厚度均约6nm左右.这些超薄薄膜的超导转变温度分别为:MgO上薄膜是14.46K,Si和SiOx上薄膜分别是8.74K和9.01K.

关键词：NbN、超薄薄膜、外延生长

所属期刊栏目：35

分类号：TM2(电工材料)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2006CB601006;国家高技术研究发展计划863计划2006AA22120

在线出版日期：2008-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：498-500,508