NbN/AlN/NbN超导隧道结的制备工艺

摘要：

研究了在MgO基片上制备NbN/AlN/NbN结的工艺,NbN和AlN的制备分别采用直流磁控溅射和交流磁控溅射.为了得到良好特性的隧道结,首先要在高真空反应室里沉积三层膜结构,经过光刻和反应离子刻蚀,得到底电极和桥区的三层结构图形.再经过第二步光刻和刻蚀,仅保留底电极最下层的NbN,得到结区的三层结构图形,并覆盖AlN绝缘层.经过Lift-off工艺,洗去结区上的光刻胶,最后沉积上电极.使用四端子方法对制备的隧道结进行了一系列测量,特别是在高频(THz)下的响应.

关键词：超导隧道结、NbN、AlN、磁控溅射

所属期刊栏目：35

分类号：O4;TM2

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2006CB601006;国防重点实验室基金2004028033

在线出版日期：2007-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：51-52,55