10.3969/j.issn.1001-7100.2005.02.001
TiB2掺杂MgB2超导线材临界电流密度和显微结构研究
以低碳钢管为包套材料,采用原位粉末套管法制备出5 mol%TiB2掺杂的MgB2超导线材.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、能谱分析和标准的直流四电极电阻法分别测试了线材的物相组成、显微结构、化学组成和临界电流密度(Jc).结果显示,TiB2掺杂能够提高MgB2线材的Jc,使其达到了9960 A/cm2(6K,4.5T)和1110 A/cm2(6K,7T),比未掺杂线材分别提高了14%和26%.TIB2掺杂引起的MgB2晶粒减小,晶界面积增加和晶粒连结性改善,是Jc提高的主要原因.在未掺杂MgB2线材中还发现了微裂纹、MgO晶须等不利于超导性能的特殊显微结构.
MgB2超导线材、TiB2掺杂、临界电流密度、显微结构
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TM26(电工材料)
国家高技术研究发展计划863计划2002AA306251;国家自然科学基金50172040,50377040
2007-04-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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