电沉积YBa2Cu3O7-δ涂层导体Y2O3种子层的外延生长研究

摘要：

电化学沉积是一种工艺简单、成本低廉、并且易于批量生产YBa2Cu3O7-δ涂层导体缓冲层的方法.本文成功的在双轴织构的Ni-5at.％W(Ni-5W)金属基带上外延生长了 Y2O3缓冲层薄膜.原子力显微镜(AFM)测量表明Y2O3薄膜表面致密,粗糙度小,其表面粗糙度仅为1.8 nm.电化学沉积与磁控溅射相结合获得了 MS-GZO/ED-Y2O3双层缓冲层,在此缓冲层结构上成功地外延生长了 YBa2Cu O7-δ超导层,液氮温度下临界电流密度Jc为0.65 MA/cm2.

关键词：涂层导体、电化学沉积、缓冲层

所属期刊栏目：43

分类号：TQ153.2;O646;TB383

在线出版日期：2022-07-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：213-219