Ge-SiNx薄膜的结构与磁有序研究

摘要：

非磁性材料在低维度表现出铁磁性引起人们广泛关注.为实现Ge纳米结构在自旋电子器件中的应用,我们利用等离子体增强化学气相沉积技术制备了Ge-SiNx纳米薄膜,对样品的结构和磁学性质进行了研究.厚度为16 nm的样品经900℃退火后有Ge纳米晶的生成.对沉积态样品进行铁磁性测试,得到样品的饱和磁化强度为10emu/cm3,样品经900℃退火后饱和磁化强度增加到35 emu/cm3,样品的居里温度高于400 K.氮化硅作为包埋Ge纳米颗粒的基质材料,有效调节了Ge颗粒中载流子的限制势垒,增强了Ge纳米晶中自旋电子之间的磁耦合.

关键词：Ge-SiNx纳米薄膜、化学气相沉积、铁磁性

所属期刊栏目：40

分类号：O47;TN304.055;TM287

资助基金：河北省高等学校自然科学研究重点项目;资助的课题

在线出版日期：2018-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：58-62