GeTe相变薄膜的结构及光学性能研究
相变材料可迅速地实现晶态与非晶态之间的相互转换, 在相变存储领域具有重要的应用.本文用脉冲激光沉积 (PLD) 法在Si衬底上制备了高质量的GeTe相变薄膜, 并对不同温度下退火的GeTe薄膜进行了结构和光学反射率的表征.实验结果表明, 室温沉积的GeTe薄膜为非晶态结构, 薄膜的结晶化温度约为250℃.随着退火温度的增加, (202) 衍射峰位逐渐向低角方向移动, (202) 面间距逐渐增加, 这可能与退火薄膜中存在大的压应力有关.薄膜的光学反射率测试表明我们制备薄膜的晶态和非晶态具有高的反射率对比度.以上结果表明PLD法制备的GeTe薄膜在光学相变存储领域具有较好的应用潜能.
GeTe、脉冲激光沉积、相变、光学性能
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O4;TB383;TN304.055
2018-08-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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