电子束曝光制备YBa2Cu3O7-δ纳米级桥宽双晶结

摘要：

传统的紫外线曝光难以制备微桥宽度不超过1微米的双晶约瑟夫森结.我们利用电子束曝光技术制备了纳米级别(几百纳米)桥宽YBa2Cu3O7-a双晶结,具有优良的电流-电压特性和微波响应特性.并分析60 K温度下100纳米膜厚的双晶结微桥宽度的变化对结正常态电阻RN、超导临界电流Ic、特征电压IcRN的影响规律.通过考虑结与外部微波电路的阻抗匹配、结检测太赫兹波灵敏度、超导电流大小对高次微波响应台阶影响以及结的特征电压四个因素,得到最佳的太赫兹波检测器中双晶结的微桥宽度为1微米左右.

关键词：纳米级桥宽约瑟夫森双晶结、电子束曝光、太赫兹、晶界微桥宽度

所属期刊栏目：37

分类号：O482.4;O51;TN305.7

在线出版日期：2015-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：435-438