Zr掺杂对MgB2超导微观结构和超导电性的影响

摘要：

将Mg粉、Zr粉和B粉按比例混合获得Mg1-xZrxB2(x=5%10%和20%),压制成型后,在流通氩气的条件下于800℃烧结2h.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)分析烧结后样品的显微结构和化学组成,采用差热分析(DTA)观察Zr掺杂对MgB2分解温度的影响,并用物性测试仪(PPMS)测试样品的超导电性.结果表明,适量的Zr掺杂使得MgB2的平均晶粒尺寸变小,晶界面积增加和晶粒连接性改善,获得致密性较高的MgB2超导体,其临界电流密度比较大.

关键词：MgB2超导体、显微结构、Zr掺杂、临界电流密度

所属期刊栏目：33

分类号：TM26(电工材料)

资助基金：国家自然科学基金50401003

在线出版日期：2011-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：186-189