MgB2薄膜的制备与特殊性质

摘要：

本文报道了利用混合物理化学气相沉积方法(HPCVD)在SiC衬底上制备出约150 nm厚,结构均匀的MgB2薄膜.由R～T曲线知道样品Tc(0)高达40.1K由M～T曲线知道其Tc=40.4K,且曲线转变十分陡峭.X射线衍射分析表明薄膜具有较好的C轴取向,没有氧污染,却存在Mg的杂峰.由M～H曲线,利用毕恩模型计算得到了5 K零场条件下Jc(0T,5K)=2.7×106A/cm2,Hc2=19.5 T.这些结果表明过量的Mg对MgB2薄膜的转变温度以及有些性质有较大的影响.

关键词：混合物理化学气相沉积法、MgB2薄膜、转变温度Tc

所属期刊栏目：33

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）;国家大学生创新性实验计划

在线出版日期：2011-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：161-165