价层轨道平均能与掺杂二硼化镁体系临界电流密度的关系
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1000-3258.2008.03.015

价层轨道平均能与掺杂二硼化镁体系临界电流密度的关系

引用
本文研究了掺杂二硼化镁超导体系的原子价层轨道平均能IEMI与临界电流密度Jc之间的关系,发现它们之间有较好的规律性.全部阳离子和阴离子的价层轨道平均能的平均值主要集中在10.12eV至11.29eV之间,阳离子与阴离子价层轨道平均能的平均值之差IDEI几乎都集中在3.59eV至4.98eV之间.对于理解晶格上电子的静电作用与超导机理的联系是很有帮助的.

价层轨道平均能、掺杂二硼化镁、临界电流密度

30

O51;TM2

2008-09-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

253-256

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

低温物理学报

1000-3258

34-1053/O4

30

2008,30(3)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn