MgB2超导体含碳掺杂研究进展

摘要：

MgB2超导体具有临界转变温度39 K、原材料廉价及制备工艺简单等优点,被认为是MRI中已用超导体最好的替代者.但是临界电流密度(Jc)随外加磁场增大下降较快的这一问题极大的阻碍了其实际中的应用.实验结果表明:采取掺杂的方法来提高MgB2的超导电性尤其是高场下Jc值是一条有效的途径,本文概述了用单质碳和含碳化合物对MgB2超导体进行掺杂从而提高其超导特性的最新研究工作,具体介绍了掺杂物颗粒大小、掺杂量以及烧结温度等参数对MgB2超导电性的影响.研究表明:在碳单质掺杂中纳米级碳颗粒和碳纳米管具有比较好的掺杂性能,可以大幅度提高高场下的Jc值;在含碳化合物中,用纳米级SiC进行掺杂不仅可以大幅度提高高场下的Jc值,而且相比碳单质有更高的Tc值.根据目前的研究结果,最后本文对MgB2超导体掺杂研究的未来发展趋势进行了展望.

关键词：MsB2超导体、临界电流密度Jc、含碳掺杂

所属期刊栏目：30

分类号：TN2;O47

资助基金：国家973计划2006CB601005;北京市自然科学基金2072004;国家教委全国百篇优秀博士论文专项资金200331;北京上业大学111人才工程资助的课题

在线出版日期：2008-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：187-193