10.3969/j.issn.1000-3258.2007.01.015
低频弱场下超导铌球交流损耗的分析
本文根据Bean-London模型计算了超导铌球在迈斯纳态下由于表面穿透深度引起的磁滞损耗.在计算损耗的过程中,将准静态变化的外磁场引起的超导球表层的磁感应强度、感应电流的分布转化为静磁场问题求解,从而方便的计算出磁滞损耗的大小.
超导铌球、交变磁场、准静态、磁滞损耗
29
O51(低温物理学)
2007-03-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
65-67
点击收藏,不怕下次找不到~
10.3969/j.issn.1000-3258.2007.01.015
超导铌球、交变磁场、准静态、磁滞损耗
29
O51(低温物理学)
2007-03-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
65-67
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1
违法和不良信息举报电话:4000115888 举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn