Tl系超导薄膜金属涂层的生长与特性研究

摘要：

我们研究了Tl-2212超导薄膜在带有YSZ/CeO2缓冲层和带有CeO2/YSZ/CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况.基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的,Tl-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法.XRD 实验结果表明,Tl-2212薄膜都具有很好的C轴垂直于膜面的织构,并具有双向外延生长特性.在CeO2/YSZ/CeO2/Ni基带上制作的Tl-2212薄膜的Tc达到102.8 K,Jc(77 K,0 T)达到2.6 MA/cm2;在YSZ/CeO2/Ni基带上薄膜Tc可达97.7 K,Jc(77 K,0 T)也可以达到0.45 MA/cm2.

关键词：Tl-2212、RABTiS、缓冲层、YSZ、CeO2

所属期刊栏目：29

分类号：O51(低温物理学)

资助基金：高等学校博士学科点专项科研项目20050055028;国家重点基础研究发展计划973计划2006CB01006;天津市电子薄膜器件与技术重点实验室资助课题

在线出版日期：2007-03-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：18-20