10.3969/j.issn.1000-3258.2005.03.010
制备45°双外延超导结的新工艺
我们使用脉冲激光沉积方法对YBa2Cu3O7-δ(YBCO)薄膜在MgO基片上通过CeO2/YSZ双缓冲层的生长进行了系统的研究,发现MgO单晶基片的表面质量是决定能否得到理想外延薄膜质量的关键因素,通过使用低能离子束对MgO表面进行轰击,以增加其表面粗糙度和去除变质层,得到了具有100%面内45°旋转的YBCO外延膜,其临界电流密度77K时在106A/cm2量级.通过湿法刻蚀得到的双外延Josephson结表现出RSJ特性.
YBCO薄膜、双外延超导结、低能离子束
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O51(低温物理学)
国家重点基础研究发展计划973计划G1999064609;国家高技术研究发展计划863计划2002AA306412
2005-09-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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