n型掺杂半导体In/Nb-SrTiO3金属异质结变温J～V特性的研究

摘要：

利用Nb替代Ti的导电Nb-SrTiO3(Nb-STO)衬底我们制备得到了Nb-STO/金属异质结并测量了异质结的J～V曲线.氧化物半导体Nb-STO/金属异质结的J～V曲线显示出与由Schottky势垒模型描述的理想半导体/金属二极管有很多不同.利用对数据拟合的结果,我们讨论了与理想半导体模型的差别.在Nb-STO作为新的氧化物半导体材料被引入器件时,偏离理想的半导体模型应该是正常的.

关键词：氧化物半导体/金属异质结、Schottky势垒、耗尽层模型

所属期刊栏目：26

分类号：TN3;TQ4

在线出版日期：2004-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：358-363