Bi2Sr2CaCu2O8+δ单晶超导临界温度的各向异性

摘要：

研究了具有不同氧含量的Bi2Sr2CaCu2O8+δ单晶超导临界温度的各向异性.通过测量沿ab面和c轴的电阻率发现,在轻欠掺杂到过掺杂区域,单晶沿ab面和c轴的Tc值是比较接近的,但在重欠掺杂区,沿ab面的Tc值比c轴的Tc明显高.从平衡态的相位涨落模型可以得到,由于涨落效应对c轴的临界电流密度的压制作用比对ab面的要强,导致了Tc的各向异性.但这种模型无法解释重欠掺杂超导体中ab面和c轴的Tc如此大的差别.我们认为重欠掺杂超导体中的相位涨落行为不同于其他掺杂超导体中的行为,实验和理论上都值得进一步深入研究.

机标关键词：单晶、超导临界温度、欠掺杂、超导体、相位涨落、各向异性、临界电流密度、涨落效应、行为、模型、氧含量、平衡态、过掺杂、电阻率、制作、实验、区域、理论、解释、测量

所属期刊栏目：23

分类号：O51(低温物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划NKBRSF-G19990646

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：275-279