磁场下MgB2的电导涨落效应

摘要：

测量了磁场下MgB2的电阻与温度的依赖关系.测量结果表明:磁场下MgB2的临界涨落电导Δσ(H)符合由Ullah和Dorsey提出的关于临界涨落的三维标度方程.MgB2中较显著的临界涨落效应起源于其较高的超导转变温度和层状结构.由临界涨落电导符合三维的标度方程而不是二维,可推知MgB2中存在较强的层间耦合.

机标关键词：磁场、电导、涨落效应、临界、标度方程、超导转变温度、依赖关系、三维、层状结构、层间耦合、测量结果、起源、二维、电阻

所属期刊栏目：23

分类号：O51(低温物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划NKBRSF-G19990646

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：269-274