Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1-xGdxCu2Oy单晶载流子浓度和各向异性电阻率的影响

摘要：

系统地研究了Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1-xGdxCu2Oy单晶超导电性及各向异性电阻率的影响.Tc满足Tc/Tc,max=1-82.6(ax+b)2,并随Gd含量的增加而下降,这是由于Gd掺杂引起载流子浓度减小所导致.在x≥0.19时,ρab(T)在Tc附近有类半导体行为,dρab/dT随Gd含量增大而增大.ρc(T)呈半导体行为,并可用唯象公式ρc(T)=(a/T)exp(Δ/T)+bT+c加以描述.电阻率各向异性ρc/ρab随掺杂浓度增大而增大.

机标关键词：掺杂浓度、单晶、载流子浓度、各向异性、电阻率、SINGLE CRYSTALS、CARRIER CONCENTRATION、半导体、行为、含量、超导电性、系统、唯象、描述、公式

所属期刊栏目：21

分类号：O4(物理学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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