10.3969/j.issn.1000-3258.1999.01.013
PbZr0.53Ti0.47O3/SiO2/Si复合薄膜的取向生长及铁电性研究
利用超薄的SiO2做缓冲层,用脉冲激光沉积法在Si(100)上制备了具有良好铁电性的高度(100)取向的PZT薄膜.通过对不同条件下在SiO2/Si(100)上生长的PZT薄膜的研究,分析了SiO2厚度、沉积温度、退火时间对PZT性能的影响.
复合薄膜、取向生长、电性研究、ORIENTED GROWTH、脉冲激光沉积法、退火时间、沉积温度、铁电性、缓冲层、性能、厚度、超薄
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O48(固体物理学)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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