X射线研究CeO2缓冲层

摘要：

我们在有和无离子束辅助两种情形下,在双轴织构Ni基底上制备了CeO2薄膜,结果表明,无离子束辅助沉积时,薄膜表现出(111)取向,在离子能量为240eV,束流为200μA/cm2,基片温度为360℃的条件下沉积的CeO2薄膜呈现出良好的立方织构.另外,我们分析了薄膜应力随温度和离子辅助条件的变化关系,结果表明,离子束轰击可以减小薄膜应力,在360℃附近薄膜应力几乎被完全弛豫.

机标关键词：射线、缓冲层、薄膜应力、离子束辅助沉积、离子束轰击、基片温度、双轴织构、立方织构、离子能量、辅助条件、变化关系、下沉、束流、取向、基底、弛豫

所属期刊栏目：21

分类号：O48(固体物理学)

资助基金：国家超导技术联合研究开发中心资助项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：30-34