10.3969/j.issn.1000-3258.1999.01.001
全铌隧道结 dc SQUID的制备和研究
本文用磁控溅射方法研究了全铌隧道结 dc SQUID 的制备.根据铌结的Stewart-McCumber参量βc选择确定结的并联电阻,消除了结的回滞,并联电阻后的I-V曲线很好的符合RSJ模型.为了获得大的磁通电压调制幅度,设计了较小的SQUID环孔, 环孔电感为L~25pH.由此制备的SQUID 具有传输函数((e)v/(e)φe)Ib,其本征能量分辨率达~24h.
全铌隧道结、dc SQUID、并联电阻、能量分辨率、方法研究、电压调制、磁控溅射、传输函数、选择、设计、曲线、模型、电感、磁通、参量
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O4(物理学)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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