高压大容量MMC子模块下部IGBT损耗优化方法

摘要：

当高压大容量模块化多电平换流器(modular multilevel converter,MMC)传输有功功率时,由于桥臂电流中存在直流分量,同一子模块中的4支功率半导体器件产生的损耗并不均衡.特别是当MMC工作于逆变工况时,子模块下部IGBT的损耗尤为严重.由于IGBT对温度变化十分敏感且易于失效,因此在逆变工况下子模块下部IGBT的温升管控是限制MMC安全运行区间的主导因素.提出一种器件层面的损耗优化方法,其不仅可以减少逆变工况下子模块下部IGBT的损耗,还可以减少系统的总体损耗.最后,通过PSCAD/EMTDC仿真和MMC样机高压试验证明了所提方法的正确性和有效性.

关键词：模块化多电平换流器;功率半导体器件损耗;损耗优化方法

所属期刊栏目：45

分类号：TM721(输配电工程、电力网及电力系统)

在线出版日期：2021-10-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：4025-4036