铁氧化物对室温硫化硅橡胶憎水迁移特性影响的试验研究

摘要：

冶金工业在生产过程中排放的冶金污秽对室温硫化(room temperature vulcanized,RTV)硅橡胶的憎水迁移性有显著影响,可能会导致外绝缘耐污闪性能降低,有必要对冶金污秽条件下RTV的憎水迁移性进行研究.对表面涂覆了不同污秽度、不同铁氧化物含量污秽的RTV试片进行了憎水迁移性测试.结果显示试片的憎水迁移性随着污秽度的增大而变差,污秽中铁氧化物含量越高,憎水迁移性越差,稳态憎水角越小.基于RTV的小分子迁移理论,结合硅藻土和铁氧化物的微观形貌、粒度、比表面积和比孔容积等测试结果可以推断出铁氧化物使试片憎水迁移性减弱的主要原因为颗粒表面致密,不利于硅氧烷小分子的迁移,颗粒之间孔隙的比表面积和比孔容积很大,能够吸附大量的硅氧烷小分子,从而减少迁移到表面的硅氧烷小分子的数量.铁氧化物污秽比普通污秽对RTV的憎水迁移性影响更大,可能会使绝缘子发生污闪的风险大幅增加.

关键词：冶金污秽、RTV、憎水迁移性、污秽度、污秽成分

所属期刊栏目：45

分类号：TM85(高电压技术)

资助基金：国家自然科学基金51607126

在线出版日期：2021-03-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：833-839