基于SiC功率器件的单相APF开关损耗分析及应用技术研究

摘要：

提出一种应用于单相有源滤波器(active power filter, APF)的SiC 功率器件的开关损耗模型.该模型考虑了封装和印制电路板(printed circuit board,PCB)的寄生参数与器件结电容的非线性.详细阐述四种单相APF 工作状态下的建模原理,并给出了各工作状态下各时间段的开关过程分析与损耗计算方程.基于影响APF 谐波补偿性能的关键因素的分析,结合APF 的工作特点,提出SiC 器件高开关频率兼容驱动方式与封装及电路布局优化方案.搭建基于单相APF的SiC 功率器件测试实验样机,在不同电压点和电流点下进行测试,并将测试结果与估算结果进行比较.比较结果高度吻合,功率损耗误差在10％以内,验证了提出的开关损耗模型的准确性和有效性.

关键词：SiC 功率器件、单相APF、开关损耗模型、寄生参数

所属期刊栏目：41

分类号：TM76(输配电工程、电力网及电力系统)

在线出版日期：2018-07-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：4030-4037