压接式IGBT器件封装结构对并联芯片开通电流的影响与抑制

摘要：

对于压接式IGBT器件,封装结构引起的寄生参数不一致将导致开通瞬态过程中并联IGBT芯片的电流分布不一致,使部分芯片在开关瞬态过程中的电流过冲太大,从而降低了开通性能.采用寄生参数提取、电路建模仿真以及实验验证的方法,首先在压接式IGBT器件各并联芯片驱动回路参数一致的条件下,研究了发射极凸台布局对并联芯片开通电流一致性的影响.其次,在发射极凸台布局完全对称的情况下,研究了栅极PCB板不对称布局对各并联芯片开通电流一致性的影响.最后,提出了一种可以改善各并联芯片开通电流一致性的双针+双层PCB板的驱动结构,并分析了该结构的均流效果.

关键词：压接式IGBT、寄生电感、瞬态电流分布

所属期刊栏目：41

分类号：TM85(高电压技术)

在线出版日期：2017-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：938-947