脉冲电场介导AT2R基因在血管局部表达及其对血管新生内膜的影响
目的 研究脉冲电场对血管紧张素2型受体(AT2R)基因在血管局部表达的作用,探讨AT2R基因在体转染对大鼠颈动脉球囊损伤后新生内膜增生的作用.方法 大鼠颈动脉球囊损伤后,用脉冲电穿孔法介导AT2R cDNA真核表达质粒或空质粒载体在动脉局部表达,于术后3、7 d和21 d用免疫组织化学、HE染色等方法,进行AT2R在颈动脉壁中表达的变化及定量组织形态学分析.结果 免疫组织化学染色结果显示:脉冲电场介导AT2R cDNA真核表达质粒表达后,3d时可见内膜、中膜、外膜大量AT2R的棕色阳性着色,7d时可见少量棕色阳性着色,21d棕色阳性着色几乎消失,未转染组及空质粒转染组未见AT2R的棕色阳性着色,表明脉冲电穿孔能有效导人AT2R基因,并在动脉壁获得稳定表达.在21 d时,AT2R cDNA真核表达质粒组的内膜面积与中膜面积比显著低于未转染组和空质粒载体组[分别为(0.76±0.08),(1.39±0.08),(1.32±0.10),P<0.01],空质粒转染组和未转染组间无统计学差异(P>0.01).结论 脉冲电穿孔可介导AT2R基因在血管局部有效表达,AT2R在体转染可抑制球囊损伤后大鼠颈动脉平滑肌细胞增殖和新生内膜增生.
电穿孔、血管紧张素2型受体、再狭窄
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R322.12;R363.124;R394.2(人体形态学)
2011-07-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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