碳化硅MOSFET器件特性的研究
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1000-3886.2015.03.014

碳化硅MOSFET器件特性的研究

引用
由于材料性能的不同,碳化硅MOSFET与硅MOSFET在电气特性方面存在一些显著差异,不能简单地将硅MOSFET直接替换为碳化硅MOSFET.为了准确地掌握碳化硅MOSFET在实际应用中的工作特性,利用双脉冲测试电路对器件特性进行了研究,重点对通态特性和开关特性进行了分析、总结,实验结果可对基于碳化硅MOSFET的变换器优化设计提供指导.

碳化硅、双脉冲测试、MOSFET、开关特性、通态特性

37

TN31(半导体技术)

教育部博士点基金资助项目20123218120017;中央高校基本科研业务费专项资金和南京航空航天大学研究生创新基地实验室开放基金资助kfjj20130213

2015-07-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

44-45,67

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

电气自动化

1000-3886

31-1376/TM

37

2015,37(3)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn