基于IGBT串联技术的高压优性能开关
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

基于IGBT串联技术的高压优性能开关

引用
IGBT串联组合应用可以迅速满足硬开关应用场合中的电压等级要求,一个简易可靠的辅助电路可以有效解决串联IGBT正常运行中的电压不均衡问题.应用OrCAD/PSpice仿真软件,对比分析了单管CM600HA-24H(600 A/1200 V)和两个CM600HA-12H(600 A/600 V)的串联组合的开关表现.仿真结果表明,和单管IGBT相比较,IGBT串联组合在能量损耗、集电极过电压以及开关频率等方面有着明显的优势,从理论上证明了IGBT串联组合可以有着更好的开关表现,对实践有一定的指导意义.

IGBT、串联、阻容二极管有源均压法、CM600HA-24H、能量损耗

34

TN386(半导体技术)

2013-03-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

29-32

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

电气自动化

1000-3886

31-1376/TM

34

2012,34(6)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn