超薄埋氧层厚度对FDSOI器件短沟道效应影响

摘要：

随着CMOS技术发展到22 nm技术节点以下,体硅平面器件达到等比例缩小的极限.全耗尽超薄绝缘体上硅CMOS (FDSOI)技术具有优秀的短沟道效应控制能力,利用TCAD软件,对不同埋氧层厚度的FDSOI器件短沟道效应进行数值仿真,研究减薄BOX厚度及器件背栅偏压对器件性能和短沟道效应的影响.仿真结果表明,减薄BOX厚度使FDSOI器件的性能和短沟道效应大幅提升,薄BOX衬底背栅偏压对FDSOI器件具有明显的阈值电压调制作用,6.00 V的背栅偏压变化产生0.73V的阈值电压调制.在适当的背栅偏压下,FDSOI器件的短沟道特性(包括DIBL性能等)得到优化.实验结果表明,25 nm厚BOX的FDSOI器件比145 nm厚BOX的FDSOI器件关断电流减小近50％,DIBL减小、近20％.

关键词：FDSOI、超薄埋氧层、仿真研究、短沟道效应、背栅偏压

所属期刊栏目：41

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项2013ZX02303-001-001

在线出版日期：2017-05-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：117-122