一种针对中压三电平IGCT输出滤波器拓扑的死区补偿方法

摘要：

提出一种针对中压三电平集成门极换向晶体管(IGCT)输出滤波拓扑下的精细化死区补偿方法,实现逆变器输出死区效应的实时计算和补偿.由输出滤波器拓扑建立传递函数,进而得到器件侧输出电流随输出电压和负载电流变化的时域解析式.将滤波器阻抗参数代入时域解析式,依据开关变化时刻的器件侧电流初值进行分段处理,计算补偿时间.该方法定量分析了含输出dv/dt滤波器拓扑应用中不同初值电流对滤波器后端电压非线性变化的影响规律,可以更加精细地补偿电流过零点处的死区效应.

关键词：死区补偿、三电平、集成门极换向晶体管、dv/dt滤波器

所属期刊栏目：52

分类号：TM28(电工材料)

资助基金：天津电气科学研究院有限公司科研基金;国机研究院青年科研基金

在线出版日期：2022-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：30-34