基于Vth和Vce的IGBT结温测量方法对比研究

摘要：

小电流下饱和压降法(Vce法)和阈值电压法(Vth法)是IGBT热阻测试标准中推荐使用的两种结温测量方法,然而并没有说明两种方法测得的结温的关系及等效性.首先理论分析了小电流下饱和电压和阈值电压的电压构成,表明Vce法测得的结温反映的是芯片集电极侧的温度信息,Vth法测得的结温反映的是芯片发射极侧的温度信息,由于芯片内部存在垂直温度梯度,推断Vth法测得的结温将高于Vce法测得的结温;然后根据两种测量方法的测量原理,搭建了IGBT结温测量平台,在不同负载电流下用两种方法测量结温,实验结果验证了理论预测,且两种方法测得的结温的差值随着负载电流增加而增大.最后,提出一种简易热校准模型用于快速计算差值,使得两种方法的结果可以等效变换并进行公平对比.

关键词：IGBT模块、结温测量、小电流下饱和压降法、阈值电压法

所属期刊栏目：52

分类号：TM464(变压器、变流器及电抗器)

资助基金：湖北省高等学校省级教学研究项目;湖北省职教学会重点课题

在线出版日期：2022-06-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：24-28