改善SiC MOSFET开关特性的有源驱动电路研究

摘要：

针对碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET)开关过程中存在的电流、电压过冲和振荡问题,首先对SiC MOSFET的开关过程进行详细分析,得出电流、电压过冲和震荡的产生机理,然后根据影响过冲和振荡的关键因素,分别提出了电流注入型、变电压型和变电阻型有源驱动电路,并通过LTspice仿真软件验证了所提有源驱动电路的有效性,最后搭建实验平台对所提变电压型有源驱动电路进行实验验证.实验结果表明,所提变电压型有源驱动电路能够在牺牲较小开关损耗的条件下,有效抑制SiC MOSFET开关过程中的电流、电压过冲和振荡.

关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET);有源驱动电路;LTspice仿真软件;过冲;振荡

所属期刊栏目：51

分类号：TM13(电工基础理论)

资助基金：江苏省重点研发计划项目;江苏省普通高校研究生科研创新计划项目;江苏省普通高校研究生科研创新计划项目

在线出版日期：2021-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：21-26