基于源极电感检测法的SiC MOSFET短路保护电路研究

摘要：

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)凭借高工作温度、高开关频率和低导通损耗等优点,被广泛应用于高压、高温和高工作频率场合,但SiC MOSFET的短路耐受时间较小,仅为2～5μs,这对SiC MOSFET的短路保护电路提出了更高的要求.首先总结分析SiC MOSFET短路故障特性,然后基于源极电感检测法设计一款SiC MOSFET短路保护电路并简要分析其工作原理,最后搭建实验平台进行实验验证.实验结果表明,所设计的短路保护电路结构简单,当SiC MOSFET发生硬开关短路故障或负载短路故障时,保护电路能够在故障发生的1μs内关断器件,保证器件的安全运行.

关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管;短路特性;源极电感检测法;短路保护

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分类号：TM13(电工基础理论)

资助基金：江苏省储能变流及应用工程技术研究中心实验室开放基金;江苏省重点研发计划;江苏省普通高校研究生科研创新计划

在线出版日期：2021-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：16-19,24