SiC MOSFET驱动电路设计与实验分析

摘要：

为使SiC MOSFET在应用中安全可靠的工作,通过对SiC MOSFET开关特性的分析,设计了一种SiC MOSFET驱动电路.该电路具有结构简单、实用性强、速度快、输出功率大等特点.另外,在高功率、高频等特殊环境下工作,为了提高SiC MOSFET的可靠性,还对器件过载保护电路进行研究.通过Pspice软件仿真实验,发现过载保护电路可以有效地保护器件不受损坏.最后,搭建双脉冲实验平台,验证驱动电路的基本功能并测试采用不同栅极电阻时对SiC MOSFET开关特性的影响.实验结果表明:该电路具有良好的驱动能力.

关键词：碳化硅MOSFET、驱动电路、过载保护电路、Pspice仿真软件、双脉冲实验

所属期刊栏目：47

分类号：TM13(电工基础理论)

在线出版日期：2017-10-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：59-63