IGBT串联阀吸收电路的研究

摘要：

绝缘栅双极型晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点,近年来得到了广泛的应用,但是受限于耐压等级,单个IGBT高压大功率电能变换场合还不能满足需求,而串联使用是一种较好的解决方案.在串联使用中为了抑制器件关断过程中产生浪涌过冲,仍然需要吸收电路进行保护.通过对比分析详细阐述了RCD吸收电路在IGBT串联中的使用优势,并给出了参数选取的原则,同时分析了RCD吸收电路对器件动、静态电压均压的影响,并通过实验予以了验证.

关键词：IGBT串联、吸收电路、均压、关断浪涌电压

所属期刊栏目：43

分类号：TM86(高电压技术)

资助基金：国家级大规模集成电路制造技术及成套工艺国家02专项资助项目2011ZX02603-005,2011ZX02503-006

在线出版日期：2013-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：72-76