一种基于H∞优化的内模控制Anti-windup设计方法

摘要：

针对被控对象控制输入发生饱和时对内模控制性能和稳定性的不利影响.分析了二自由度内模控制结构具有抗饱和特性的原因.提出了一种抗饱和,跟踪与干扰补偿解耦的三自由度内模控制结构.其中抗饱和控制器基于H∞优化理论综合,小增益定理保证全局稳定性.仿真表明了算法有较好的抗饱和及干扰补偿能力,鲁棒性较强.

关键词：饱和、抗饱和、内模控制、自由度、H∞优化

所属期刊栏目：36

分类号：TM5(电器)

资助基金：甘肃省自然科学基金3ZS042-B25-039;教育部重点实验室基金K04106

在线出版日期：2006-12-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：30-33,37