沟道长度对IGZO薄膜晶体管性能的影响

摘要：

在室温条件下采用射频磁控溅射的方法在热氧化SiO2衬底上生长IGZO薄膜作为有源层,并将其制备为薄膜晶体管器件.研究不同的沟道长度对IGZO薄膜晶体管电学性能的影响.使用场发射扫描电子显微镜(SEM)表征IGZO薄膜的厚度,使用原子力显微镜(AFM)表征薄膜的表面形貌.实验结果表明,沟道长度对IGZO薄膜晶体管有着重要影响.当沟道长度为10μm时,IGZO薄膜晶体管的开关电流比达到1.07×108,载流子迁移率为3.81cm2/V,阈值电压为27V,亚阈值摆幅为2V/dec.

关键词：IGZO;薄膜晶体管;磁控溅射;沟道长度

所属期刊栏目：17

分类号：TB383(工程材料学)

资助基金：大学生创新创业训练计划项目;吉林省教育厅项目

在线出版日期：2021-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：138-140