一种基于SiGe BiCMOS工艺的X波段4×4片上Butler矩阵设计
本设计基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计了一款X波段Butler矩阵芯片.芯片由90°耦合器、移相器、交叉耦合器组成.详细分析了芯片中个单元电路设计及可能存在的问题.测试结果表明,在9.5-10.5 GHz的设计频段内,可同时输出4个波束,插入损耗小于2.5dB.
波束形成、片上Butler矩阵、X波段
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TP311(计算技术、计算机技术)
2020-08-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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