H2O2氧化处理ZnO沟道层对薄膜晶体管性能的影响

摘要：

通过射频磁控溅射ZnO薄膜的方法制备了以ZnO为有源层的薄膜晶体管器件.研究了H2O2处理ZnO薄膜的不同位置对TFT器件的影响.采用PL测试表征材料的缺陷密度,用SEM表征了氧化处理前后的ZnO薄膜材料的表面形貌.结果表明利用H2O2处理ZnO薄膜与源漏电极的接触界面会使器件的关态电流降低2个数量级,氧化处理后的ZnO薄膜具有较低的缺陷密度和较好的结晶状态,TFT器件的电流开关比为7.5×105,阈值电压Vth为9V,亚阈值摆幅为2V/decade,场效应迁移率为0.85cm·V-1·s-1.

关键词：射频磁控溅射、ZnO薄膜、H2O2氧化处理

所属期刊栏目：15

分类号：G642(高等教育)

在线出版日期：2019-06-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：250-252