纳米CMOS电路在单粒子效应下可靠性分析
随着电子元器件的尺寸在不断的发生变化，使得电容和电压不断的降低，纳米CMOS电路对单粒子效应（SEE）的敏感性更高，并且由于单粒子的串扰和多结点翻转现象明显增加，使得工作的可靠性受到一定的影响。为了更好的保证纳米CMOS电路在SEE下的可靠性，从多方面来对其进行分析和研究，最后通过研究发现，影响纳米CMOS电路在SEE下的可靠性的焦点可能是：抗单粒子瞬态的加固研究、CMOS电路的抗辐射加固设计研究、仿真及加固研究等。
纳米CMOS电路、单粒子效应、可靠性
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TP311(计算技术、计算机技术)
佳木斯大学博士专项科研基金项目项目编号22Zb201516
2016-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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