基于Sentaurus Device的4H-SiC PiN二极管的仿真
该文通过4H-SiC PiN二极管的模拟,给4H-SiC PiN二极管加了一个5V电压,在室温T=300K的情况下分析了4H-SiC PiN二极管的直流特性和温度特性,从而介绍了Synopsys Inc.开发的新一代的器件物理特性仿真工具Sentaurus Device的一些仿真功能。
4H-SiC PiN二极管、Si、SenTaurus Device
TP31(计算技术、计算机技术)
2014-12-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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