CMOS闩锁效应的研究及其几种预防措施

摘要：

目前以CMOS工艺为基础的集成电路制造方式已经成为当今集成电路产业的主导技术，但早期的CMOS电路由于无法有效预防闩锁效应而并未为人们所接受。文章先对一个CMOS反相器以及它的工作原理进行了详细的介绍，进而在CMOS反相器的基础上对CMOS电路中闩锁效应的产生机理做了充分的分析，提取了用于分析闩锁效应的集总器件模型，并且获得了闩锁效应的产生条件。通过对闩锁效应内部原理的认识，我们知道对闩锁效应的抑制或者预防是完全可以做到的，这可以通过对版图设计规则和对CMOS工艺技术的改进而达到。文章最后根据闩锁效应的产生条件给出了几种预防闩锁效应的措施。

关键词：CMOS集成电路、闩锁效应、集总器件模型、深槽隔离

分类号：TP391(计算技术、计算机技术)

在线出版日期：2013-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：5751-5754