基于双正交提升小波的单晶硅绒面的去噪研究

摘要：

单晶硅绒面在制绒时随着制绒液的浓度的变化,有可能会导致腐蚀不均匀,绒面的顶部或底部会有准方形的凹坑出现.基于双正交小波,结合提升小波的优点,形成双正交提升小波,对单晶硅绒面进行去噪处理.结果表明,双正交提升小波能将表面的“凹坑”缺陷去除,并以光的吸收率为依据将“凹坑信号”等价为“小的三角形”.

关键词：单晶硅绒面、双正交提升小波、凹坑、去噪

所属期刊栏目：8

分类号：TP271(自动化技术及设备)

在线出版日期：2012-07-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：2087-2089