计算机模拟InGaSb/GaAs薄膜外延生长的研究

摘要：

该文采用动力学蒙特卡罗(KMC)方法模拟了InGaSb薄膜由2D到3D的外延生长过程,观察到明显的岛状生长过程,并且发现从网络结构的形成到衬底被完全覆盖,岛的接连处曲率不断变大,由此可见实际岛接连处的应变的增加导致了化学势的变化,进一步促使质量的变差,并对表面形貌产生影响.

关键词：分子束外延、InGaSb、蒙特卡罗

所属期刊栏目：6

分类号：TP51

在线出版日期：2010-08-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：4166-4167