基于双基区晶体管的负阻特性静态随机存储单元电路的设计

摘要：

双基区晶体管是一种硅基三端压控型负阻器件,它的Ic一Vbe曲线具有双稳态特性.利用双基区晶体管的负阻、高速特性构成的静态随机存储电路,结构简单、器件数量少、噪声容限大抗干扰能力强、速度快.将4v时钟信号作为器件的驱动电源,降低了电路功耗.

关键词：双基区晶体管、静态随机存储器、负阻器件

所属期刊栏目：6

分类号：TP311(计算技术、计算机技术)

在线出版日期：2010-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：2251-2252