DDR SDRAM控制器中全数字延时锁定环的设计实现
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1009-3044.2008.35.054

DDR SDRAM控制器中全数字延时锁定环的设计实现

引用
介绍了一款可应用于DDR SDRAM控制器的基于标准单元的全数字延时锁定环(DLL).该DLL可集成性和工艺兼容性好,可以减少DLL的设计时间和设计复杂度,非常适合系统级芯片使用.该设计采用0.18um CMOS数字工艺实现最终版图,工作频率范围达到200MHz至400MHz,无谐波锁定出错,且闭环特性可以跟踪工艺、电压、温度(PVT)变化.仿真结果表明该设计能够产生DDR SDRAM控制器规范所要求的一段固定延时(tSD)来保证DDR SDRAM控制器正确捕获存储器输出数据(DQ).

全数字延时锁定环、DDR SDRAM控制器、数据选择脉冲(DQS)

4

TP332(计算技术、计算机技术)

2009-03-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

2171-2173

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

电脑知识与技术

1009-3044

34-1205/TP

4

2008,4(35)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn