基区宽度对NPN BJT中载流子浓度分布的影响

摘要：

随着市场对射频微波电路性能要求的不断提高,半导体器件的制作工艺受到射频微波工程师们广泛的关注,对于给定结构但实际上无法制作的器件,利用工程方法来获得半导体的结构及特性,能够达到所需的器件指标.本文是在对半导体基础器件内部结构深入了解的情况下,证实了当基区宽度(W)远远小于基区少数载流子扩散长度()的极限条件下准中性基区中载流子浓度的微扰是位置的线性函数.同时通过理论推导证明了当基区宽度(W)等于基区少数载流子扩散长度()的条件下,准中性基区中载流子浓度的微扰近似是位置的线性函数.利用以上推导结果可以简化晶体管参数的计算,也为改善晶体管工艺打下基础.最后编写了LabVIEW程序从直现上证明了结论的正确性.

关键词：基区宽度、扩散长度、线性函数、载流子浓度、NPN BjT、LabVIEW

所属期刊栏目：2

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2008-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1137-1139,1145