10.3969/j.issn.1009-3044.2007.17.134
基于常规CMOS工艺的电子镇流器芯片设计
分析当前主流电子镇流器控制芯片的优缺点,提出了一种适用于功率在20W以下节能灯控制芯片的设计方案.采用常规的CMOS铝栅工艺.整个控制芯片由主芯片和高压管驱动两块芯片组成,两管间通过自举电容耦合.自举电容起的作用:(1)隔离高压(2)传输高压功率管的控制信号.此设计方案的难点是设计出符合上述设计要求的高压管驱动芯片.此款芯片采用6μm CMOS铝栅工艺模型,经仿真验证,现已通过MPW流片成功.测试各项指标都达到设计要求.
常规CMOS工艺、自举、电容耦合、高压管驱动芯片
3
TN402(微电子学、集成电路(IC))
2007-12-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
1434-1436