一种结构简单的宽温度范围、高精度CMOS基准源

摘要：

本文采用130 nm MOS工艺,设计了一种简单的CMOS电压基准源.利用基准电流源结构,产生PTAT电流,再通过电流镜技术将此PTAT电流转移到一个以二极管方式连接、工作于亚阈值区状态的NMOS管,在栅源之间得到对温度不敏感的电压VGS.经过Spectre仿真后,在电源电压为2.2 V至2.5 V电压范围内,本文电路均可正常工作;在-40℃～+155℃范围内,基准电压温度系数可低至12.0×10-6/℃;当供电电压为2.3 V时,整个电路的静态功耗和输出电压分别为50 μW和561.5 mV;在10 KHz以内,电源抑制比PSRR的值均小于-53.8 dB,在1 MHz处,电源抑制比PSRR为-44.7 dB.该电路中只包含CMOS管和一个电阻,没有使用电容、三极管等器件,简单稳定,可应用于各种便携式电子设备.

关键词：电压基准、低温漂、宽温度范围、亚阈区

所属期刊栏目：11

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2022-04-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：142-146