硅通孔负载全局均衡的3D NoC延迟上界优化方法

摘要：

针对三维片上网络(3D NoC)中硅通孔(TSV)的特殊结构,提出了一种3D NoC延迟上界优化方法,通过全局均衡硅通孔负载,降低全局业务流的延迟上界.建立3D NoC的网格通信模型,搜索网络中所有业务流的可行路径,提出一种基于度的冲突矩阵,求出目标子流路径的TSV冲突系数,按照路径中TSV冲突系数的大小把目标流流量分配到部分最优路径上.实验结果表明,基于度的冲突矩阵可以有效减少存储空间,将存储复杂度从D(n2)降低到D(n),并且可以清晰直观地表现出业务流在网络中的冲突情况.采用硅通孔负载全局均衡的3D NoC延迟上界优化方法,目标业务流的延迟上界得到了显著优化,最大的优化效果可将延迟上界降低58.9％.

关键词：三维片上网络、延迟上界、负载全局均衡、冲突矩阵

所属期刊栏目：48

分类号：TP301(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61474036

在线出版日期：2018-07-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：270-275